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1225AS-H-3R3M=P2

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封裝
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價格
說明
操作

1225AS-H-3R3M=P2 功率電感
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯(lián)系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
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1225AS-H-3R3M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
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1225AS-H-3R3M=P2
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質：營業(yè)執(zhí)照
642500
原廠
SMD
15+ROHS
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一級質量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價美

1225AS-H-3R3M=P2
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
2000
MURATA
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1225AS-H-3R3M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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制造商
TOKO Inc
功能描述
- Tape and Reel

1225AS-H-3R3M=P2 技術參數(shù)

1225AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2A 70 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1225AS-H-1R5N=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.4A 52 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±30% 額定電流:2.4A 電流 - 飽和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:52 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1225AS-H-1R0N=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 43 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±30% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:43 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1225AS-H-120M=P2 功能描述:12μH Shielded Wirewound Inductor 760mA 350 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:12μH 容差:±20% 額定電流:760mA 電流 - 飽和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:350 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1225AS-H-100M=P2 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:580mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.126" 長 x 0.118" 寬（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 1226005-03 1226006-03 1226007-05 1226008-05 1226009-05 1226010-07 1226011-07 1226012-07 1226013-10 1226014-10 1226015-10 1226016-14 1226017-14 1226018-14 1226019-20 1226020-20 1226021-20 1226022-25