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    1N3655AMR

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    • 功能描述
    • SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES
    1N3655AMR 技術(shù)參數(shù)
    • 1N3647 功能描述:DIODE GEN PURP 3KV 600MA AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):3000V 電流 - 平均整流(Io):600mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:5V @ 250mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2.5μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3000V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 5V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3646 功能描述:DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1750V(1.75kV) 電流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):5V @ 250mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1750V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:S,軸向 供應(yīng)商器件封裝:S,軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3645 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1400V(1.4kV) 電流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):5V @ 250mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1400V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:S,軸向 供應(yīng)商器件封裝:S,軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3644 功能描述:MIL, QPL PART, 0.250A. 1500V REC 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3643 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):5V @ 250mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:S,軸向 供應(yīng)商器件封裝:S,軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3744 1N3744R 1N3765 1N3765R 1N3766 1N3766R 1N3767 1N3767R 1N3768 1N3768R 1N3821 1N3821A-1 1N3821AUR-1 1N3822A-1 1N3822AUR-1 1N3823A-1 1N3823AUR-1 1N3824A-1
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