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1N4003TA

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  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
  • 制造商
  • smc diode solutions
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 200V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 1A
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1V @ 1A
  • 速度
  • 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時間(trr)
  • -
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 200V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容
  • 15pF @ 4V,1MHz
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AL,DO-41,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-41
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 125°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
1N4003TA 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4003-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4003RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4003RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N4003L-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4003G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4004-E3/53 1N4004-E3/54 1N4004-E3/73 1N4004E-E3/53 1N4004E-E3/54 1N4004E-E3/73 1N4004G 1N4004-G 1N4004G A0G 1N4004G B0G 1N4004G BK 1N4004G R0G 1N4004G R1G 1N4004GHA0G 1N4004GHB0G 1N4004GHR0G 1N4004GHR1G 1N4004GL-T
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