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1N4150TAP
深圳市悅興晨電子科技有限公司
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聯(lián)系人：朱先生
電話：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室柜臺號新亞洲二期N2B227
15600
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全新原裝部分發(fā)貨3-5天

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北京耐芯威科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
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聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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Vishay Semiconductors
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深圳市鵬威爾科技有限公司
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聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號富源商貿(mào)中心D棟601
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功能描述
二極管 - 通用，功率，開關(guān) Vr/50V Io/150mA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
產(chǎn)品
Switching Diodes
峰值反向電壓
600 V
正向連續(xù)電流
200 A
最大浪涌電流
800 A
配置
恢復時間
2000 ns
正向電壓下降
1.25 V
最大反向漏泄電流
300 uA
最大功率耗散
工作溫度范圍
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
ISOTOP
封裝
Tube

1N4150TAP 技術(shù)參數(shù)

1N4150-1 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4150_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:30,000 1N4150_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:5,000 1N4150_T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:5,000 1N4150_S62Z 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:2,000 1N4150W-HE3-18 1N4151 1N4151_T50R 1N4151TAP 1N4151TR 1N4151W-E3-08 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18 1N4152