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1N4686 TR

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz)
  • 3.9V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 2V
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf
  • 1.5V @ 100mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10,000
1N4686 TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4686 BK 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N4686 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4686 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4685UR-1 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:7.5μA @ 2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4685 TR 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:7.5μA @ 2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4688 TR 1N4688UR-1 1N4689 1N4689 (DO35) 1N4689 BK 1N4689 TR 1N4689-TP 1N4689UR-1 1N4690 1N4690 (DO35) 1N4690UR-1 1N4691 1N4691UR-1 1N4692 (DO35) 1N4692UR-1 1N4693 1N4693 (DO35) 1N4693E3
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