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1N482B

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 30V 0.65A 2PIN DO-35 - Bulk
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 30V 200MA DO-35
1N482B 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4784A 功能描述:DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4784 功能描述:DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:0°C ~ 75°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4783A 功能描述:DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4783 功能描述:DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:0°C ~ 75°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4782A 功能描述:DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):8.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N485B 1N485B_T50R 1N485BTR 1N485BUR 1N4864 BK 1N486B 1N486B_T50A 1N486B_T50R 1N486B-T50A 1N486BUR 1N4890 1N4890A 1N4891 1N4891A 1N4892 1N4892A 1N4893 1N4893A
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