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1N5196

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  • 封裝
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  • 1N5196JANTXTR
    1N5196JANTXTR

    1N5196JANTXTR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • MCSM

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

  • 1N5196JANTX
    1N5196JANTX

    1N5196JANTX

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯(lián)系人：朱平

    電話：0755-83229772-83202753

    地址：辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 3636

  • MICROSEMI

  • 原廠

  • 21+

  • -

  • 百分百進口原裝現(xiàn)貨，價格有優(yōu)勢。

  • 1N5196JTX
    1N5196JTX

    1N5196JTX

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4247

  • MSC

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  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝！

  • 1N5196JTX
    1N5196JTX

    1N5196JTX

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

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  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝！

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STD RECOVERY RECTFR 200V 0.2A 2PIN DO-35 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE SWITCHING DO-35
1N5196 技術參數(shù)
  • 1N5195UR 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 180V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5195 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 180V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5194UR 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 70V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5194 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 70V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5190 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5221BDO35 1N5221BDO35E3 1N5221B-T 1N5221BTA 1N5221B-TAP 1N5221B-TP 1N5221B-TR 1N5221BUR-1 1N5221C-TAP 1N5221C-TR 1N5222A 1N5222A (DO-35) 1N5222B 1N5222B (DO-35) 1N5222B A0G 1N5222B BK 1N5222B TR 1N5222B_T50A
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