1N5239B A0G

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功能描述
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
帶盒（TB）
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
9.1V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
10 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
3μA @ 7V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.1V @ 200mA
工作溫度
100°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
5,000

1N5239B A0G 技術參數(shù)

1N5239B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5239B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5239A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5239A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5238TA 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.7V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5239B-TP 1N5239BTR 1N5239B-TR 1N5239BUR-1 1N5239C-TAP 1N5239C-TR 1N5239TA 1N5240A 1N5240A (DO-35) 1N5240B 1N5240B (DO-35) 1N5240B A0G 1N5240B BK 1N5240B TR 1N5240B_S00Z 1N5240B_T50A 1N5240B_T50R 1N5240BDO35