1N5242B A0G

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功能描述
DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
12V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
30 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
500nA @ 9V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.1V @ 200mA
工作溫度
100°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
1

1N5242B A0G 技術(shù)參數(shù)

1N5242B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5242B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5242A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5241TA 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5241C-TR 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5242B-TAP 1N5242B-TP 1N5242BTR 1N5242B-TR 1N5242BUR-1 1N5242C-TAP 1N5242C-TR 1N5242TA 1N5243A 1N5243A (DO-35) 1N5243B 1N5243B (DO-35) 1N5243B A0G 1N5243B BK 1N5243B SEL01 TR 1N5243B TR 1N5243B_S00Z 1N5243B_T50A