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1N5266B-TAP

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  • 1N5266B-TAP
    1N5266B-TAP

    1N5266B-TAP

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • VISHAY SE

  • 1521+

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  • 1N5266B-TAP
    1N5266B-TAP

    1N5266B-TAP

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 68 Volt 0.5W 5%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
1N5266B-TAP 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5266B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1600 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5266BDO35 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5266B TR 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5266B BK 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N5266B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):68V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):230 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 52V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5267B (DO-35) 1N5267B BK 1N5267B TR 1N5267BDO35 1N5267B-T 1N5267B-TAP 1N5267B-TP 1N5267B-TR 1N5267BUR-1 1N5267C-TAP 1N5267C-TR 1N5268A 1N5268A (DO-35) 1N5268B (DO-35) 1N5268B AP 1N5268B BK 1N5268B TR 1N5268BDO35
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