1N5356B-TP

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 5.0W 19V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N5356B-TP 技術參數(shù)

1N5356BRLG 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):新產品電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 114V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 1N5356BRL 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 14.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:4,000 1N5356BG 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 14.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1,000 1N5356BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5356BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 19V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:19V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5357/TR8 1N5357A/TR12 1N5357A/TR8 1N5357AE3/TR12 1N5357AE3/TR13 1N5357AE3/TR8 1N5357B 1N5357B/TR12 1N5357B/TR8 1N5357BE3/TR12 1N5357BE3/TR13 1N5357BE3/TR8 1N5357BG 1N5357BRL 1N5357BRLG 1N5357B-TP 1N5357C/TR12 1N5357C/TR8