1N5622US

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N5622USJANTX
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
660
MSC
2007/2008
-
公司現(xiàn)貨,只做原裝！

1N5622USJANTX
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
660
MSC
2007/2008
-
公司現(xiàn)貨,只做原裝！

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： 1N5623 1N5623GP-E3/54 1N5623GPHE3/54 1N5623US 1N5624GP-E3/54 1N5624GP-E3/73 1N5624GPHE3/54 1N5624-TAP 1N5624-TR

1N5622US PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

1N5622US PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 100V 1A 2-Pin A-MELF
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STD RECOVERY RECTFR 100V 1A 2PIN D-5A - Bulk

1N5622US 技術(shù)參數(shù)

1N5622GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 1N5622GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:15pF @ 12V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5622C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5622 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5621US 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:20pF @ 12V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5625GP-E3/54 1N5625GP-E3/73 1N5625GPHE3/54 1N5625-TAP 1N5625-TR 1N5626GP-E3/54 1N5626GP-E3/73 1N5626GPHE3/54 1N5626-TAP 1N5626-TR 1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/73 1N5627GPHE3/54 1N5627-TAP 1N5627-TR 1N5629 1N5629A 1N5630