1N6002B BK

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封裝
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功能描述
DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
12V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
22 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100nA @ 9.1V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.5V @ 100mA
工作溫度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500

1N6002B BK 技術(shù)參數(shù)

1N6002B 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6002A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:32 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6001UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6001UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6001D 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6003B 1N6003B_T50A 1N6003B_T50R 1N6003C 1N6003D 1N6003UR 1N6003UR-1 1N6004A 1N6004B 1N6004B BK 1N6004B_T50A 1N6004B_T50R 1N6004B-TP 1N6004C 1N6004D 1N6004UR 1N6004UR-1 1N6005A