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1N6013D

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 36V 500MW DO-35
1N6013D 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6013C 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6013B-TP 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6013B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6013B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6013B BK 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 27V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N6014UR-1 1N6015A 1N6015B 1N6015B_T50A 1N6015B_T50R 1N6015C 1N6015D 1N6015UR 1N6015UR-1 1N6016A 1N6016B 1N6016B_T50A 1N6016B_T50R 1N6016C 1N6016D 1N6016UR 1N6016UR-1 1N6017A
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