1N648-1

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批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

1N648-1
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
500V 0.4A 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE RECT STD REC DO-35

1N648-1 技術(shù)參數(shù)

1N6480HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6480HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N6480-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6480-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N647UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6483-E3/97 1N6483HE3/96 1N6483HE3/97 1N6484-E3/96 1N6484-E3/97 1N6484HE3/96 1N6484HE3/97 1N6485 1N6485US 1N6486 1N6486US 1N6487 1N6487US 1N6488 1N6488US 1N6489 1N6489US 1N648UR-1