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1N6633

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  • 1N6633
    1N6633

    1N6633

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 3.6V 5W

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 3.6V 5% 5W 2PIN E - Bulk
1N6633 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6632US 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6632 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:E,軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6631US 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6631 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6630US 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):900V 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.7V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:4μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR 1N6642USE3 1N6643 1N6643US 1N6657 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R
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