1N5408G

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

1N5408G
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
500
ON SEMICONDUCTOR
主營(yíng)優(yōu)勢(shì)
1844
-
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功能描述
整流器 1000V 3A Standard
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復(fù)時(shí)間
1.2 us
正向連續(xù)電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N5408G 技術(shù)參數(shù)

1N5408-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5408-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5408-E3/51 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N5408-B 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 1N5408 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5408G-T 1N5408RL 1N5408RLG 1N5408-T 1N5408TA 1N5408-TP 1N5415 1N5415US 1N5416 1N5416US 1N5417 1N5417C.TR 1N5417-TAP 1N5417TR 1N5417US 1N5418 1N5418C.TR 1N5418-TAP