2N4857JAN02

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說明
操作

2N4857JAN02
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Vishay Siliconix
22+
-
原裝正品

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制造商
Vishay Intertechnologies
功能描述
19500/385 JAN2N4857
制造商
Vishay Siliconix
功能描述
TRANS JFET N-CH 3PIN TO-206AA - Bulk
制造商
Vishay Siliconix
功能描述
JFET N-CH 40V 360MA TO-18

2N4857JAN02 技術參數(shù)

2N4857 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/385 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:40 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N4856UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 2N4856JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:1 2N4856JTXL02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4856JTX02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860 2N4860JAN02 2N4860JTX02 2N4860JTXL02 2N4860JTXV02 2N4860UB 2N4861JAN02 2N4861JTX02 2N4861JTXL02