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2N5116JTVL02

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2N5116JTVL02 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • 19500/476 JANTXV2N5116 W/SLDR DIP
2N5116JTVL02 技術參數(shù)
  • 2N5116JAN02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5116-E3 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:200 2N5116 功能描述:JFET P-CH 30V 0.5W TO18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 15V 電阻 - RDS(開):150 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:500mW 標準包裝:2,000 2N5115UB 功能描述:JFET P-Channel 30V 60mA @ 15V 500mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):60mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):6V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 15V 電阻 - RDS(開):100 歐姆 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N5115JTXV02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5154L 2N5172 2N5172_D26Z 2N5172_D27Z 2N5172_D74Z 2N5172_D75Z 2N5179 2N5190 2N5190G 2N5191 2N5191G 2N5192 2N5192 SL H 2N5192G 2N5192R 2N5193 2N5194 2N5194G
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