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2N5367

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  • 深圳市悅興晨電子科技有限公司
    深圳市悅興晨電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室 柜臺(tái)號(hào)新亞洲二期N2B227

  • 15600

  • sgs

  • 原廠原封裝

  • 2023+

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  • 2N5367
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

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  • 2N5367
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  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 2500

  • CENTRAL SEMICONDUCTOR

  • 主營優(yōu)勢(shì)

  • 19+

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  • 制造商
  • NJSEMI
  • 制造商全稱
  • New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
  • 功能描述
  • SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07091
2N5367 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5366_D75Z 功能描述:TRANS PNP 40V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5366_D27Z 功能描述:TRANS PNP 40V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5366_D26Z 功能描述:TRANS PNP 40V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5366 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:250MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N5349 功能描述:PNP TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5400G 2N5400RA 2N5400RLRP 2N5400RLRPG 2N5401 2N5401,116 2N5401,412 2N5401_D10Z 2N5401_D28Z 2N5401_D81Z 2N5401_J05Z 2N5401_J61Z 2N5401_S00Z 2N5401-AP 2N5401BU 2N5401CTA 2N5401CYTA 2N5401G
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