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2N5550BU

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N5550BU
    2N5550BU

    2N5550BU

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • FAIRCHILD

  • TO-92

  • 11+

  • -
  • 100%進口原裝正品,只做原裝

  • 2N5550BU
    2N5550BU

    2N5550BU

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • FS

  • ★全新★

  • ●最新批號●

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品,質(zhì)量保障

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
2N5550BU PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N5550BU 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5550_J24Z 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:3,500 2N5550_D26Z 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5550 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 2N5547JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應(yīng)商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5547JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應(yīng)商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N5551 2N5551,116 2N5551,412 2N5551_J05Z 2N5551_J18Z 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA 2N5551CYTA 2N5551G 2N5551RL1 2N5551RL1G 2N5551RLRA 2N5551RLRAG 2N5551RLRM 2N5551RLRMG 2N5551RLRP
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