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2N6661JTVP02

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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • 19500/547 JANTXV2N6661P WITH PIND
2N6661JTVP02 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6661JAN02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661-E3 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2N6661-2 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:860mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6661 功能描述:MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:90V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA（Tj） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N6660JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:990mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-205AF（TO-39） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756 2N6758 2N6760
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