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2N7002TQ-7-F

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N7002TQ-7-F
    2N7002TQ-7-F

    2N7002TQ-7-F

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓

  • 170

  • DIODES INCORPORATED

  • NA

  • 23+

  • -

  • 現貨！就到京北通宇商城

  • 2N7002TQ-7-F
    2N7002TQ-7-F

    2N7002TQ-7-F

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 9500

  • DIODES

  • SOT-523

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • 2N7002TQ-7-F
    2N7002TQ-7-F

    2N7002TQ-7-F

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 30000

  • DIODES INC.

  • 價格優(yōu)勢

  • 2426

  • -

  • 全新原裝渠道現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
2N7002TQ-7-F PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET NCH 60V 115MA SOT523
  • 制造商
  • diodes incorporated
  • 系列
  • 汽車級，AEC-Q101
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 115mA（Ta）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 5V，10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 50pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 150mW（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 13.5 歐姆 @ 500mA，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • SOT-523
  • 封裝/外殼
  • SOT-523
  • 標準包裝
  • 1
2N7002TQ-7-F 技術參數
  • 2N7002-TP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 2N7002TC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 2N7002TA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002T-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 2N7002T-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008 2N7008-G 2N7051 2N7051_D10Z 2N7052 2N7052_D74Z 2N7053 2N7053_D26Z 2N7053_D74Z 2N7053_D75Z 2N706
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