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2SA1312GRTE85LF

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 2SA1312GRTE85LF
    2SA1312GRTE85LF

    2SA1312GRTE85LF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百正品現(xiàn)貨 電話010-621049...

  • 2SA1312GRTE85LF
    2SA1312GRTE85LF

    2SA1312GRTE85LF

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6500

  • TOSHIBA

  • 原廠原裝

  • 1701+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • 2SA1312GRTE85LF
    2SA1312GRTE85LF

    2SA1312GRTE85LF

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • 2SA1312GRTE85LF
    2SA1312GRTE85LF

    2SA1312GRTE85LF

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 640

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨！只做原裝！

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
2SA1312GRTE85LF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SA1312GRTE85LF 技術參數(shù)
  • 2SA1312-BL(TE85L,F 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1309ASA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:290 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SA1309ARA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:210 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SA1309AQA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SA1309A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SA1386 2SA1386A 2SA1407E 2SA1416S-TD-E 2SA1416T-TD-E 2SA1417S-TD-E 2SA1417T-TD-E 2SA1418S-TD-E 2SA1418T-TD-E 2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-H 2SA1419T-TD-E 2SA1419T-TD-H 2SA1425-Y,T2F(J 2SA1428-O,T2CLAF(J 2SA1428-O,T2CLAF(M 2SA1428-O,T2WNLF(J 2SA1428-Y(T2TR,A,F
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