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2SA1955FVBTPL3Z

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

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  • 原廠封裝

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  • 2SA1955FVBTPL3Z
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 40000

  • TOSHIBA S

  • 1521+

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  • 全新原裝現貨

  • 2SA1955FVBTPL3Z
    2SA1955FVBTPL3Z

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 2815

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP VESM
2SA1955FVBTPL3Z 技術參數
  • 2SA1955FVATPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SA1954BTE85LF 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1954-A(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1952TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SA1943RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO264 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:55 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 標準包裝:25 2SA2007E 2SA20090SL 2SA201000L 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E
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