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2SB1457,T6YMEF(M

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2SB1457,T6YMEF(M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 2A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 100V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 1.5V @ 1mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 10μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 2000 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大值
  • 900mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 50MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-226-3,TO-92-3 長體
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-92MOD
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
2SB1457,T6YMEF(M 技術(shù)參數(shù)
  • 2SB1457,T6TOTOF(J 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1457(TE6,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1457(T6DW,F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1457(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1457(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB15040QA 2SB15040RA 2SB1548AP 2SB1559 2SB1560 2SB1561T100Q 2SB1565FU6E 2SB1570 2SB157400L 2SB1580T100 2SB1587 2SB1588 2SB158900L 2SB1590KT146Q 2SB15920RA 2SB15990QL 2SB15990RL 2SB1623AP
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