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2SCR513PFRAT100

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • 2SCR513PFRAT100 貼片三極管
    2SCR513PFRAT100 貼片三極管

    2SCR513PFRAT100 貼片三極管

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 25200

  • ROHM/羅姆

  • MPT3

  • 21+原廠授權

  • -
  • ★原廠授權★價超代理★

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
2SCR513PFRAT100 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 1A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 50V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 350mV @ 25mA,500mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 180 @ 50mA,2V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 360MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應商器件封裝
  • MPT3
  • 標準包裝
  • 1
2SCR513PFRAT100 技術參數(shù)
  • 2SCR513P5T100 功能描述:NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:360MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR512RTL 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SCR512PT100 功能描述:TRANS NPN 30V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SCR512PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR512P5T100 功能描述:NPN 30V 2A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL 2SCR523V1T2L 2SCR533P5T100 2SCR533PFRAT100 2SCR533PT100 2SCR542PFRAT100 2SCR542PT100 2SCR543DTL 2SCR543RTL 2SCR544P5T100 2SCR544PFRAT100 2SCR544PT100 2SCR544RTL 2SCR552P5T100 2SCR552PFRAT100 2SCR552PT100 2SCR553P5T100
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