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2SD11190RL

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SD11190RL
    2SD11190RL

    2SD11190RL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • PANASONIC

  • SOT223-3

  • 4

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2SD11190RL
    2SD11190RL

    2SD11190RL

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • PANSONIC

  • SOT89

  • 23+

  • -
  • 全新原裝正品現貨熱賣

  • 2SD11190RL
    2SD11190RL

    2SD11190RL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Panasonic

  • SOT89

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
  • 1
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  • 功能描述
  • TRANS NPN 25VCEO 3A MINI-PWR
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 頻率 - 轉換
  • 100MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 其它名稱
  • MMBT489LT1GOSDKR
2SD11190RL 技術參數
  • 2SD106AI-17 UL 功能描述:IC DUAL GATE DRIVER 6A 制造商:power integrations 系列:SCALE?-1 包裝:托盤 零件狀態(tài):不適用於新設計 驅動配置:半橋 通道類型:- 驅動器數:2 柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:15V 邏輯電壓?- VIL,VIH:- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):6A,6A 輸入類型:- 上升/下降時間(典型值):100ns,80ns 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:25 2SD1060S-JKH-1E 功能描述:TRANS NPN 5A 50V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1060S-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1060S-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD1060R-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP 2SD12660P 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P 2SD1275AP
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