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2SJ373

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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8650000
TO-252
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一級代理.原裝特價現貨！

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無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
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isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
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國產品牌，替代進口

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深圳市中平科技有限公司
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TO-251/252
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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯系人：劉先生
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地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
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5000
N/A
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假一罰十，百分百原裝正品，質量保障

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深圳市柏新電子科技有限公司
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只做原裝正品

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深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
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聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
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深圳市華雄半導體（集團）有限公司
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聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業(yè)執(zhí)照
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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252VAR

2SJ373 技術參數

2SJ360(TE12L,F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:730 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:1,000 2SJ360(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:730 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:100 2SJ305TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4歐姆 @ 50mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:92pF @ 3V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SJ304(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 10V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SJ168TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2歐姆 @ 50mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:85pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E