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2SK275100L

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  • 型號
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  • 2SK275100L
    2SK275100L

    2SK275100L

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • 2SK275100L
    2SK275100L

    2SK275100L

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 16450

  • PANASONIC

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
2SK275100L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • JFET N-CH 40V 10MA MINI-3
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 8,000
  • 系列
  • -
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)
  • 1.2mA @ 10V
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 漏極電流 (Id) - 最大
  • 10mA
  • FET 型
  • N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
  • -
  • 電壓 - 切斷 (VGS 關)@ Id
  • 180mV @ 1µA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 4pF @ 10V
  • 電阻 - RDS(開)
  • 200 歐姆
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 供應商設備封裝
  • 3-ECSP1006
  • 功率 - 最大
  • 100mW
2SK275100L 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2744(F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:50 2SK2740 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1050pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FN 標準包裝:500 2SK2731T146 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SK2719(F) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):750pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:50 2SK2715TL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):280pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M 2SK2963(TE12L,F) 2SK2967(F) 2SK2989(T6CANO,A,F 2SK2989(T6CANO,F,M 2SK2989(TPE6,F,M) 2SK2989,F(J 2SK2989,T6F(J 2SK2993(TE24L,Q)
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