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2N5883

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W PNP
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N5883 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5882 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5881 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 功率 - 最大值:160W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5880 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5879 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5878 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N5950_J18Z 2N5950_J35Z 2N5951 2N5951_D27Z 2N5951_J35Z 2N5952 2N5952_D74Z 2N5952_D75Z 2N5952_J35Z 2N5953 2N5953_J35Z 2N5954 2N5956 2N5961 2N5961_D27Z 2N5962 2N5962_D26Z 2N5962_D74Z
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