參數(shù)資料
型號(hào)： 2PD601ASL/DG
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： 2PD601ASL/DG
2PD601AXL_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 6 November 2008
7 of 9
NXP Semiconductors
2PD601ARL; 2PD601ASL
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
12. Revision history
Table 10.
Revision history
Document ID
Release date
Data sheet status
Change notice
Supersedes
2PD601AXL_1
20081106
Product data sheet
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1384-R 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1417Q 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1707TL 4000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB905-O(2-7B1A) 1500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC1627A-Y 400 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2PD601ASW T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASW,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASW115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
2PD601AW 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
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