參數(shù)資料
型號： 2SB0710
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
中文描述： 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： 2SB0710
2SB0710, 2SB0710A
2
SJC00048CED
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
0
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature T
a
(
°
C)
C
C
0
0
–12
–2
–10
–4
–8
–6
1
200
1
000
800
600
400
200
9 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
I
B
=
10 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
0
10
8
6
4
2
Base current I
B
(mA)
0
800
700
600
500
400
300
200
100
C
I
C
(
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0.001
1
0.01
0.1
1
10
10
100
1
000
C
V
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
B
V
B
Collector current I
C
(mA)
I
C
/
I
B
=
10
0.01
0
600
500
400
300
200
100
1
10
F
F
V
CE
=
10 V
0.01
0.1
Collector current I
C
(A)
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
240
200
160
120
80
40
1
10
100
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
1
24
20
16
12
8
4
10
100
Collector-base voltage V
CB
(V)
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
1
10
100
1
000
0
120
100
80
60
40
20
Base-emitter resistance R
BE
(k
)
I
C
=
2 mA
T
a
=
25
°
C
2SB0710A
2SB0710
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB710 Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0710A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB710A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0726 For general amplification
2SB0745 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB0710(2SB710) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0710/2SB0710A(2SB710/2SB710A) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SB0710. 2SB0710A (2SB710. 2SB710A) - PNP Transistor
2SB071000L 功能描述:TRANS PNP GP AMP 25VCEO MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB07100QL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 25VCEO MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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