參數(shù)資料
型號: 2SB1686
廠商: SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: FM20, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 458K
代理商: 2SB1686
173
Transistors
Package Type (Dimensions)
10.2±
0.3
2.54±
0.5
0.4±
0.1
2.59±
0.2
1.3±
0.2
4.44±
0.2
2.54±
0.5
1.2±
0.2
1.27±
0.2
10.0
(1.5)
(1.4)
8.6
±
0.3
+
0.3
0.5
0.1
+
0.2
–0.1
0.86
+
0.2
0.1
3.0
+
0.3
0.5
a:
Part Number
b: Polarity
c: Lot No.
a
b
c
qe
w
TO-220F (FM20)
TO-220 (MT-25)
TO-3P (MT-100)
TO-3PF (FM100)
MT-200
TO-220S
TO263
TO3P-5Pin
NPN
PNP
10.0±0.2
4.2±0.2
2.8
0.5
C
1.35±0.15
2.4±0.2
2.2±0.2
3.3
a
b
a: Part Number
b: Lot No.
φ
±0.2
0.85
2.54
+0.2
0.1
0.45
+0.2
0.1
16.0
13.0min
±
0.3
8.4
±
0.2
4.0
±
0.3
0.8
3.9
±
0.2
±
0.2
±0.2
10.2±0.2
4.8±0.2
2.0
1.4
2.5
BC E
±0.1
3.75
φ
±0.2
0.65
1.35
a
b
+0.2
0.1
3.0
±
0.2
8.8
4.0max
±
0.2
16.0
12.0min
±
0.7
a: Part Number
b: Lot No.
15.6±0.3
5.45±0.1
9.6
a
b
±0.2
4.8±0.2
2.0±0.1
BC
E
3.2φ
±
0.1
2
+0.2
0.1
3
+0.2
0.1
1.05
+0.2
0.1
0.65
+0.2
0.1
1.7
+0.2
0.1
20.0min
19.9
2.0
4.0
3.5
±
0.3
5.0
±
0.7
a: Part Number
b: Lot No.
15.6
a
b
±0.2
5.5±0.2
3.45±0.2
1.75±0.15
2.15±0.15
5.45±0.1
3.35
0.8
±0.2
5.45
1.5
4.4
1.5
±0.1
3.3
φ
±0.2
1.05
+0.2
0.1
0.65
+0.2
0.1
23.0
5.5
±
0.3
9.5
±
0.2
0.8
1.6
3.3
3.0
±
0.2
a: Part Number
b: Lot No.
36.4±0.3
24.4
a
9
2
3
b
BCE
±0.2
6.0
2.1
±0.2
5.45±0.1
1.05
+0.2
0.1
0.6
+0.2
0.1
3.0
+0.3
0.1
20.0min
4.1max
21.4
7
±
0.3
3.2
2-
φ
±0.1
a: Part Number
b: Lot No.
■Package Type (Dimensions)
(Unit:mm)
9.90
±0.20
4.50
±0.20
0.10
±0.15
2.40
±0.20
2.54
±
0.30
(R0.30)
1.30+0.10
–0.05
0.50 +0.10
–0.05
0.80
±0.10
4.90
±
0.20
9.20
±
0.20
1.40
±
0.20
1.20
±
0.20
(0.40)
15.30
±
0.30
2.00
±
0.10
(0.75)
2.54
±0.20
2.54
±0.20
10.00
±0.20
(1)
(2)
(3)
1.27
±0.10
相關PDF資料
PDF描述
2SB1691WL- 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1691WL- 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1713T100 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1722G 20 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1730TL 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1691WL-TL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin MPAK T/R
2SB169300L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 500MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR