參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4235
廠商： Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd.
英文描述： Switching Power Transistor(3A NPN)
中文描述： 開關(guān)功率晶體管（第3A NPN）的
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 515K
代理商： 2SC4235
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
●
Absolute Maximum Ratings
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : MTO-3P
HFX Series
Switching Power Transistor
3A NPN
2SC4235
(T3W80HFX)
Item
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
TOR
Conditions
Ratings
-55
～1
50
1
50
1
200
800
7
3
6
1
2
80
0.8
Unit
℃
℃
V
V
V
A
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
Collector Current Peak
Base Current DC
A
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Mounting Torque
Tc = 25
℃
(Recommended torque : 0.5N
m)
W
N
m
●
Electrical Characteristics (Tc=25
℃
)
Item
Collector to Emitter Sustaining Voltage
Symbol
V
CEO
(sus)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
h
FEL
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
θ
jc
f
T
ton
ts
tf
Conditions
Ratings
Min 800
Max 0.
1
Max 0.
1
Max 0.
1
Min 8
Min 7
Max
1
.0
Max
1
.5
Max
1
.56
TYP 8
Max 0.5
Max 3.5
Max 0.3
Unit
V
mA
I
C
= 0.
1
A
At rated Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
At rated Voltage
mA
DC Current Gain
V
CE
= 5V, I
C
=
1
.5A
V
CE
= 5V, I
C
=
1
mA
I
C
=
1
.5A
I
B
= 0.3A
Junction to case
V
CE
=
1
0V, I
C
= 0.3A
I
C
=
1
.5A
I
B
1
= 0.3A, I
B2
= 0.6A
R
L
=
1
70
Ω
, V
BB2
= 4V
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage
Thermal Resistance
Transition Frequency
Turn on Time
Storage Time
Fall Time
℃
/W
MHz
μ
s
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PDF描述
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2SC4235-4112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4235-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4235-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4236 制造商:-- 功能描述:6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 制造商:Shindengen 功能描述:6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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