參數(shù)資料
型號： 2SC5810
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型外延式
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： 2SC5810
2SC5810
2004-07-07
4
r
th
– t
w
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Safe Operating Area
C
C
Pulse width t
w
(s)
T
r
1000
1
100
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.003
0.03
0.3
3
30
300
3
30
300
Curves should be applied in thermal limited area.
Single nonrepetitive pulse Ta
=
25°C
Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm
2
)
10
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
V
3
0.3
30
0.03
0.3
3
*
: Single nonrepetitive pulse
Ta
25°C
Note that the curves for 100 ms,
10 s and DC operation will be
different when the devices aren’t
mounted on an FR4 board (glass
epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:
645 mm
). These characteristic
curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max (pulsed)
*
DC operation
(Ta
=
25°C)
10
μ
s
*
100
μ
s
*
1 ms
*
100 ms
*
10 ms
*
10 s
*
IC max (continuous)
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PDF描述
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