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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2264S |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 5A條一（c）|園區(qū) |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | 2SD2264S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2279 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
| 2SD2279P | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
| 2SD2279Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
| 2SD2308 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP |
| 2SD2308A | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | SIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2264TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2266 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching) |
| 2SD227 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Medium Power Amplifiers and Switches |
| 2SD2271 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (MOTOR DRIVER, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
| 2SD2273 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
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