參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3391JX
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： UAPK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2SK3391JX
2SK3391
Rev.2.00, Apr.14.2004, page 3 of 4
Drain Current ID
(A)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Drain Current
Input Capacitance vs.
Gate to Source Voltage
9
8.5
-10
- 6
- 2
2
610
VDS = 0
f = 1 MHz
9.5
10
10.5
V
DS(sat)
(V)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
Input
Capacitance
Ciss
(pF)
Gate to Source Voltage VGS
(V)
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
- 25
Ambient Temperature
Ta (
°C)
Gate
to
Source
Cutoff
Voltage
Gate to Source Cutoff Voltage vs.
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
VDS = 13.7 V
V
GS(off)
(V)
10 mA
ID = 0.1
mA
1 mA
Output Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1
3
10
30
1
10
100
30
3
Output
Capacitance
Coss
(pF)
Drain to Source Voltage VDS
(V)
0.1
0.3
VGS = 0
f = 1 MHz
1
3
10
30
1
0.3
10
0.1
3
Reverse Transfer Capacitance vs.
Drain to Gate Voltage
Drain to Gate Voltage VDG (V)
Reverse
Transfer
Capacitance
Crss
(pF)
0.1
0.3
VGS = 0
f = 1 MHz
Added
Efficiency
η
add
(%)
Input power Pin (mW)
Output Power, Added Efficiency vs.
Input Power
Output
Power
Pout
(W)
0
200
150
100
50
0
100
60
40
20
80
250
2.5
2
1
0.5
0
1.5
VDS = 13.7 V
IDO = 0.15 A
f = 836 MHz
Pout
ηadd
0.1
0.03
0.3
10
VGS = 10 V
Pulse Test
13
0.01
Tc = - 25
°C
25
°C
75
°C
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0.001
0.003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3391JX UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
2SK3402-Z 36000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
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