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5HN01SS-TL-E

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    5HN01SS-TL-E

    5HN01SS-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

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  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel
  • 制造商
  • SANYO
  • 功能描述
  • Nch 50V 0.1A 7.5 rreo Tape & Reel
  • 制造商
  • Sanyo
  • 功能描述
  • 0
5HN01SS-TL-E 技術參數(shù)
  • 5HN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 50mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5HN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 50mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5HN01C-TB-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMD 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 標準包裝:3,000 5HN01C-TB-EX 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標準包裝:3,000 5HN01C-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:3,000 5HQ100JOAAL 5HQ221JAFAA 5HQ221JBFAA 5HT 1 5HT 1.25 5HT 1.25-R 5HT 1.6 5HT 1.6-R 5HT 10 5HT 100-R 5HT 10-R 5HT 1-R 5HT 2 5HT 2.5 5HT 2.5-R 5HT 200-R 5HT 250-R 5HT 2-R
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