5LP01SP-AC

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封裝
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功能描述
MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
180 mA
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
4.5 Ohms
配置
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-416
封裝
Reel

5LP01SP-AC 技術(shù)參數(shù)

5LP01SP 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 5LP01M-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 50V 0.07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):要求報(bào)價(jià) FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 5LP01M-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 5LP01M-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 5LP01C-TB-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2 5M1210B-3 5M1210BCT 5M1210BCT-2 5M1210BCT-3 5M1220B