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深圳市深美諾電子科技有限公司
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深圳市一線半導體有限公司
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深圳市柏新電子科技有限公司
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6AE 技術(shù)參數(shù)

6A8-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 6A8TA 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:500 6A8-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 6A80GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 6A80GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 6AT158-T2 6AT17 6AT17-T2 6AT1-T 6AT2 6AT23 6AT29 6AT2-T 6AT3 6AT354 6AT3-T 6AT4 6AT42 6AT501 6AT501-T 6AT56-T2 6AT6 6AT7