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A2T23H160-24SR3

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A2T23H160-24SR3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
FreescaleSemiconductor-NX
原廠封裝
最新批號
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A2T23H160-24SR3 PDF下載

功能描述
RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 350mA 2.3GHz 17.7dB 28W NI-780S-4L2L
制造商
freescale semiconductor - nxp
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
2.3GHz
增益
17.7dB
電壓 - 測試
28V
額定電流
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
350mA
功率 - 輸出
28W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-780S-4L2L
供應商器件封裝
NI-780S-4L2L
標準包裝
250

A2T23H160-24SR3 技術參數

A2T21S260W12NR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:2.11GHz ~ 2.2GHz 增益:17.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.6A 功率 - 輸出:218W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-880X-2L2L 供應商器件封裝:OM-880X-2L2L 標準包裝:250 A2T21S260-12SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.17GHz 18.7dB 65W NI-780-2S2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:2.17GHz 增益:18.7dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.2A 功率 - 輸出:65W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780-2S2L 供應商器件封裝:NI-780-2S2L 標準包裝:250 A2T21S160-12SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 2.17GHz 18.4dB 38W NI-780-2S2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:2.17GHz 增益:18.4dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:600mA 功率 - 輸出:38W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780-2S2L 供應商器件封裝:NI-780-2S2L 標準包裝:250 A2T21H450W19SR6 功能描述:2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS 頻率:2.11GHz ~ 2.2GHz 增益:15.7dB 電壓 - 測試:30V 額定電流:10μA 噪聲系數:- 電流 - 測試:800mA 功率 - 輸出:390W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230S-4S4S 供應商器件封裝:NI-1230S-4S4S 標準包裝:150 A2T21H410-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:2.17GHz 增益:15.6dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:600mA 功率 - 輸出:72W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標準包裝:150 A2V07H525-04NR6 A2V09H300-04NR3 A2V09H400-04NR3 A2V09H525-04NR6 A-3 A300 A300A A301 A301-100-F3 A30110204 A30110204MP A30110207 A301103 A30110307 A301104 A30110404 A30110404MT A30110407