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AO4414(BP FREE)

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    AO4414(BP FREE)

    AO4414(BP FREE)

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ALPHA

  • SO-8/3K

  • 05+

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • AO4414(BP FREE)
    AO4414(BP FREE)

    AO4414(BP FREE)

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TOS

  • TO-220F

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • AO4414(BP FREE)
    AO4414(BP FREE)

    AO4414(BP FREE)

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ALPHA

  • SO-83K

  • 最新批號

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AO4414(BP FREE) 技術參數(shù)
  • AO4413L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 15A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4413 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 15A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4411L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:760pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AO4411 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:760pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4409 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4425 AO4427 AO4430 AO4433 AO4435 AO4435_102 AO4435_103 AO4435L_102 AO4437 AO4437L AO4438 AO4438_101 AO4440 AO4441 AO4442 AO4443 AO4444 AO4446
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