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AOB414_001

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AOB414_001 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
SDMOS??
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
過期
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
6.6A（Ta），51A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
25 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
34nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
2200pF @ 50V
功率 - 最大值
2.5W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝
TO-263（D2Pak）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

AOB414_001 技術(shù)參數(shù)

AOB414 功能描述:MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.6A（Ta），51A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB412L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.2A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3220pF @ 50V 功率 - 最大值:2.6W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB411L_001 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta），78A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB411L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta），78A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB409L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta），31.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2953pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB482L AOB4S60L AOB5B60D AOB5B65M1 AOB7S60L AOB7S65L AOB9N70L AOB-IBRS232 AOC2401 AOC2403 AOC2411 AOC2412 AOC2413 AOC2414 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422