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AOE6922

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  • 功能描述
  • MOSFET ASYMMETRIC 2N-CH 30V DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 標準包裝
  • 3,000
AOE6922 技術(shù)參數(shù)
  • AOD9T40P 功能描述:MOSFET N-CH 400V 6.6A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):530pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 AOD9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):860 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1160pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 AOD9N40 功能描述:MOSFET N CH 400V 8A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):760pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 AOD8N25 功能描述:MOSFET N CH 250V 8A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):560 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):306pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 AOD7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):434pF @ 100V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 AOI1N60 AOI1N60L AOI206_002 AOI208 AOI2210 AOI2606 AOI2610 AOI2610E AOI2614 AOI294A AOI296A AOI2N60 AOI2N60A AOI403 AOI409 AOI4102 AOI4126 AOI4130
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