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AON6916

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AON6916 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 過(guò)期
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AON6916 技術(shù)參數(shù)
  • AON6914 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過(guò)期 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6912ALS 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過(guò)期 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6912A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A,13.8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13.7 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):910pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W, 2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6910A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/16A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.1A,16A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 9.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):670pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W,2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6908A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11.5A,17A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.9 毫歐 @ 11.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1110pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W, 2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6934A AON6936 AON6938 AON6946 AON6970 AON6970_001 AON6970_002 AON6971 AON6973A AON6974 AON6974A AON6978 AON6980 AON6992 AON6994 AON6996 AON6998 AON7140
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