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APT10DC120HJ

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module
APT10DC120HJ 技術(shù)參數(shù)
  • APT-106-T 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:700 APT106N60B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):106A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 53A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):308nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8390pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT-106 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:36 APT102GA60L 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,62A 功率 - 最大值:780W 開關(guān)能量:1.354mJ(開), 1.614mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:294nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:28ns/212ns 測(cè)試條件:400V,62A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT102GA60B2 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,62A 功率 - 最大值:780W 開關(guān)能量:1.354mJ(開), 1.614mJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:294nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:28ns/212ns 測(cè)試條件:400V,62A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG
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