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APT13003EU-G1

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  • 型號
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  • APT13003EU-G1
    APT13003EU-G1

    APT13003EU-G1

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • TO126

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • APT13003EU-G1
    APT13003EU-G1

    APT13003EU-G1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百正品現(xiàn)貨 電話010-621049...

  • APT13003EU-G1
    APT13003EU-G1

    APT13003EU-G1

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 310000

  • BCD

  • TO-126

  • 14+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APT13003EU-G1
    APT13003EU-G1

    APT13003EU-G1

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • DIODES/美臺

  • TO126

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假一賠十！

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
APT13003EU-G1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • BCDSEMI
  • 制造商全稱
  • BCD Semiconductor Manufacturing Limited
  • 功能描述
  • HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003EU-G1 技術參數(shù)
  • APT13003DZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.1W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:1 APT13003DU-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO126 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:4MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:4,000 APT13003DI-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO251 制造商:diodes incorporated 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:3,600 APT12M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2470pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT12F60K 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT13005DT-G1 APT13005SI-G1 APT13005STF-G1 APT13005SU-G1 APT13005TF-G1 APT13005T-G1 APT13F120B APT13F120S APT13GP120BDQ1G APT13GP120BG APT13GP120KG APT14050JVFR APT14F100B APT14F100S APT14M100B APT14M100S APT14M120B APT150GN120J
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