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APT25GR120SD15

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • APT25GR120SD15
    APT25GR120SD15

    APT25GR120SD15

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-268-3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APT25GR120SD15
    APT25GR120SD15

    APT25GR120SD15

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 646

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • APT25GR120SD15
    APT25GR120SD15

    APT25GR120SD15

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • APT25GR120SD15
    APT25GR120SD15

    APT25GR120SD15

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APT25GR120SD15
    APT25GR120SD15

    APT25GR120SD15

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5635

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APT25GR120SD15
    APT25GR120SD15

    APT25GR120SD15

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -
  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • APT25GR120SD15
    APT25GR120SD15

    APT25GR120SD15

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
APT25GR120SD15 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APT25GR120SD15 技術(shù)參數(shù)
  • APT25GR120S 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ(開),427μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/122ns 測試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120BSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:434μJ(開),466μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/122ns 測試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120BD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ(開),427μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/122ns 測試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開關(guān)能量:742μJ(開),427μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/122ns 測試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):72A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.9V @ 15V,25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:370μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:13ns/55ns 測試條件:600V,25A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J
配單專家

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