APT30GP60LDLG

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APT30GP60LDLG
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
TO-264
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 600V 100A 463W TO264
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 600V 100A TO-264

APT30GP60LDLG 技術(shù)參數(shù)

APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 功率 - 最大值:245W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開(kāi)關(guān)能量:260μJ（開(kāi)），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:13ns/55ns 測(cè)試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開(kāi)關(guān)能量:260μJ（開(kāi)），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:13ns/55ns 測(cè)試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60B2DLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TMAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開(kāi)關(guān)能量:260μJ（開(kāi)），250μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:13ns/55ns 測(cè)試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 功率 - 最大值:203W 開(kāi)關(guān)能量:525μJ（開(kāi)），700μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:165nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/155ns 測(cè)試條件:400V，30A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M60J APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3